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LED IR de 0.3W 850nm - LED 5050 de 3 chips

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Additional Information

Paquete: Caja de carton

productividad: 1000000000 pcs/week

transporte: Ocean,Land,Air

Lugar de origen: porcelana

Apoyo sobre: 7000000000 pcs/week

Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HS-Code: 8541401000

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Atributos del producto

Modelo: 5050IRC-85L10I90

Marca: Mejor LED

Embalaje y entrega

Unidades de venta:	Piece/Pieces
Tipo de paquete:	Caja de carton
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Descripción

- LED IR 5050 SMD -

5050IRC ‑ 85L10I90

El LED de 850 nm se puede usar ampliamente en cámaras CCTV, cámaras de visión nocturna o algún otro sistema de control de eliminación y sistema de seguridad IR. Esta carcasa de LED SMD es de 5.0 * 5.0 mm, que es más grande que las otras LED SMD (2835 SMD LED, 3528 SMD LED, etc.). Para que esta carcasa LED 5050 SMD tenga suficiente espacio para colocar 3 chips LED desnudos. En este caso, estos LED infrarrojos de 850 nm con 3 chips LED obtendrán un resultado de radiación de iluminación más uniforme. Compare con esos LED infrarrojos de 850nm de alta potencia, estos LED 5050 de 3 chips y 850nm serán más económicos y de ahorro de energía. ¿Necesita 850nm con 3 chips dentro de SMD LED? ¡Contactanos para mas detalles!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- Parámetros de dimensión-

5050 led IR 3CHIPS

Estas cajas de LED SMD también están disponibles para LED IR, LED UV, LED SMD azul, LED SMD rojo, LED ámbar, etc.

- Color emisivo -

- Parámetros eléctricos -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	140mw
Pulse Forward Current	IFP	900mA
Forward Current	IF	90mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3	1.4	1.6	V	IF=20mA*3
		1.4	1.5	1.8		IF=50mA*3
		1.6		2.0		IF=100mA*3
Radiant Intensity	IE		10	20	mW/sr	IF=20mA*3
		30	37	45		IF=50mA*3
			78			IF=100mA*3
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA*3
Half Width	Dl		45		nm	IF=20mA*3
Viewing Half Angle	2q1/2		120		deg	IF=20mA*3
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Conexión de cable dorado -

Infrared LED golden wire

- Embalaje -

* Lo empaquetamos con envasado al vacío después de pegarlo como un carrete

- Solicitud -

- LED IR relacionado -

- Producción -

- Uso de LED SMD -

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Category: LED IR 5050 SMD

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