Contactar Proveedor? Proveed
ZhangFuqin Ms. ZhangFuqin
¿Qué puedo hacer por ti?
Chatear Ahora Contactar Proveedor

Shenzhen Best LED Opto-electronic Co.,Ltd

Lista de Productos

Home > Lista de Productos > Receptor IR > Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra

PRODUCT CATEGORIES

Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra
Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra
Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra
Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra

Fototransistor de 5 mm (detector) Receptor de infrarrojos Lente negra

Tipo de Pago: T/T,Paypal
Incoterm: FOB
Cantidad de pedido mínima: 5000 Piece/Pieces
Plazo de entrega: 7 días

Información básica

    Modelo: 503PT940D-A3

    Inner Packing: Anti-static Bag

    Polarity: Short Pin Mark Cathode

    Type Of Lens: Clear Lens

    Voltage: 1.5V

    Wavelength: 940nm

    Antistatic Bag: 1000PCS/Bag

    Beam Width: 20 Degree

    Collector-Emitter Voltage: 30v

    Emitter-Collector Voltage: 6.5v

    1000PCS Weight: 330g

    Proceso de dar un título: RoHS, CE, ISO, Otro

    Solicitud: Productos electrónicos

    Intensidad luminosa: Estándar

    Uso: Monitor, Luces de guía, Luz de anuncio, Iluminación, Otro

    Color: Otro

    Formación: Fibra de oro

    Tipo: LED infrarrojo

Información adicional

    Paquete: Caja de carton

    productividad: 1000000000 pcs/week

    Marca: BestLED

    transporte: Ocean,Land,Air

    Lugar de origen: Shenzhen, China

    Capacidad de suministro: 7000000000 pcs/week

    Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS-Code: 8541401000

    Hafen: Shenzhen

DDescripción

- Receptor IR LED -

503PT940D-A3

Fototransistor también se denomina diodo PD, 503PT940D-A3 es ah ig h de velocidad y de alta NPN de silicio Sistor foto tran sensible. Tiene otro producto similar - fotodiodo. Entonces, ¿cuál es la diferencia de fotodiodo y fototransistor? Normalmente, el transistor fotográfico puede tener una salida más grande que el fotodiodo. P hototransistor es de nivel miliamperio. La corriente oscura del fototransistor es más grande. El tiempo de respuesta del fotodiodo es más corto, el tiempo de respuesta del hototransistor p es menor que 100 nanosegundos, el tiempo de respuesta del hototransistor p es menor que 5-20 microsegundos. La linealidad del fotodiodo es mejor, la linealidad p del hototransistor es peor. Pero el tamaño del chip PT es pequeño, el costo es bajo y el costo del hototransistor p es alto. El tubo de fototransistor es más susceptible a la influencia de la temperatura ambiente, la fluctuación de la fotocorriente es grande. La entrada de luz del fototransistor se satura fácilmente, lo que está relacionado con su alto factor de amplificación. El fototransistor se puede utilizar para reflejar y recibir ocasiones de luz. El tubo del fotodiodo generalmente recibe luz directamente. 503PT940D-A3 es un fototransistor que tiene un ángulo de visión de 20 grados.

940nm ir LED Receiver

- Size: 5.0*H8.7mm

- Chip Number:1 chips

- Color: 940nm 

- Type: Black

- Chip brand: tyntek


- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance






- Tamaño de 5 mm de infrarrojos LED de orificio pasante -

5mm led

* Este tamaño también está disponible para otros LED, como LED UV, LED IR (810nm LED, LED de 850nm ...), LED ámbar, LED amarillo, LED RGB, lámparas LED parpadeantes *

- LED receptor de infrarrojos de orificio pasante de trabajo -

PT940 led

* Los colores de la foto fueron tomados por la cámara, tome el color de emisión real como estándar.

- Parámetro LED del receptor IR de orificio pasante -

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

Collector-Emitter Voltage

VCEO

30 V

Emitter-Collector Voltage

VECO

6.5 V

Collector Dark Current

ICEO


100

nA

VCE=20V

Ee=0mw/cm2

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Bvceo

30

100

V

ICBO=100uA

Ee=0mw/cm2

Emitter-Collector

Breakdown Voltage

Bvceo

6


V

IECO=10uA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

VCE(sat)


0.4

V

IC=2mA

IB=100uA

Ee=1mw/cm2

Photocurrent 1

IPCE

30


90

uA

Vce=5V

Ee=1mw/cm2

λP=850nm

Photocurrent 2

IPCE 90
270 uA

VCE=5V

Ee=1mw/cm2

λP=940nm

Current gain

hFE

270


900

uA

VCE=5V

IC=2mA

Wavelenghth of Peak Sensitivity

λP 940


nm


Range of Spectral Bandwidth

λ0.5

400


1100

nm


Response Time-Rise Time

tR

15

us

Vce=5v

Ic=1mA

RL=1000Ω

Response Time-Fall Time

tF
15
us

Half Sensitivity angle

△λ

±10

deg

Collector-base Capacitance

CCB

8 PF F=1MHz,VCB=3V

- Conexión de cable dorado -

infrared led

* Para mantener cada uno de los LED de larga vida útil, BestLED utiliza un cable de oro puro de alta pureza para la conexión del circuito interior

- Embalaje IR LED -

5mm 940nm led 2

* Podemos empaquetar este LED con cualquier número de paquetes y pegar con cinta adhesiva o doblar los pines del LED como su requisito.

- IR LED relacionado -

940 nm LED

- Proceso de producción -

LED LAMP

- LED IR de orificio pasante -

Through -hol led




PRODUCTOS POR GRUPO : Receptor IR

Realizar consulta

ZhangFuqin

Ms. ZhangFuqin

Número de Teléfono:86-0755-89752405

Fax:86-0755-89752207

Móvil:+8615815584344

Email:amywu@byt-light.com

Dirección: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong