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LED de infrarrojos de alta potencia de 850 nm y 3 W, carcasa negra

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Paquete: Caja de carton

productividad: 1000000000 pcs/week

transporte: Ocean,Land,Air

Lugar de origen: porcelana

Apoyo sobre: 7000000000 pcs/week

Certificados : GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HS-Code: 8541401000

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Atributos del producto

Modelo: 8080IRC-85L28I800-ES-60D

Marca: Mejor LED

Embalaje y entrega

Unidades de venta:	Piece/Pieces
Tipo de paquete:	Caja de carton

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Video de la empresa

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Producción SMD de alta potencia IR LED

Descripción

- LED IR de alta potencia -

8080IRC-85L28I800-ES-60D

Si esos LED de orificio pasante no funcionan para su aplicación. Por favor, compruebe este LED SMD de 850nm LED de 3W. Este LED de 850 nm obtuvo una alta potencia y una fuerte radiación. Puede manejar una corriente de trabajo de 1A en este LED IR de alta potencia. El LED IR de alta potencia se puede empaquetar con diferentes carcasas de LED SMD. Como sabemos, el LED producirá un calentamiento adicional cuando esté funcionando. La situación de trabajo a alta temperatura reducirá la vida útil del chip LED y provocará un alto deterioro de la iluminación, para mantener la confiabilidad del estado sólido de larga duración y la radiación, será mejor que empaquetemos el LED de alta potencia con alguna carcasa de LED SMD que tenga alto rendimiento en el despacho de calor .

8080 smd led

- Size: 8*H5.4mm

- LED Chip Size:28mil

- Color: IR LED

- Lens type: Clear

- Chip brand: Epistar

- Different color are available

- Warranty: 5 Years

- Different wavelength are available

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Low Power consumption

- Long life-solid state reliability

- Anti UV epoxy resin package

- High temperature resistance

- Parámetros de dimensión -

8080 2W LED size

* Esta carcasa LED SMD de alta potencia también está disponible en LED SMD verde, LED UV, LED SMD azul, LED amarillo, Ámbar *

- Color emisivo -

- Parámetros eléctricos -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	1000mw
Pulse Forward Current	IFP	1500mA
Forward Current	IF	800mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.5		1.9	V	IF=300mA
		1.6	2	2.5	V	IF=800mA
				4.5	V	IFP=1500mA
Radiant Intensitye	Ee		200	230	mw/sr	IF=300mA
			450	650		IF=800mA
			1100			IFP=1500mA
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA
Half Width	Dl		25		nm	IF=20mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±22		deg	IF=20mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Conexión de cable dorado -

PLCC2 LED HIGH IR

- Embalaje -

- Solicitud -

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- Producción -

- Atención -

smd led

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Category: LED de infrarrojos de alta potencia

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